Il JEDEC Solid State Technology Division, ossia l’organismo di standardizzazione dei semiconduttori, ha presentato nelle scorse ore il nuovo standard UFS 3.0 dedicato alle memorie per smartphone. Si tratta di uno step evolutivo davvero importante che permetterà ai dispositivi di fascia top di offrire delle prestazioni sicuramente maggiori rispetto all’attuale versione 2.1.
Vi ricordiamo che le UFS (Universal Flash Storage) sono delle memorie flash impiegate in diversi device dalle dimensioni compatte, dunque non solo su smartphone. Tuttavia, nel settore dei dispositivi mobili, queste vengono implementate nei flagship poiché offrono delle performance maggiori rispetto alle classiche eMMC. Esempi di smartphone famosi sono i Samsung Galaxy S8, S8+ e Note 8 che all’interno dispongono di memorie flash UFS 2.1.
Il nuovo standard UFS 3.0, secondo l’organismo, permette una trasmissione di dati fino a 11,6 Gb/s a singola corsia e fino a 23,2 Gb/s a doppia corsia. Parliamo sostanzialmente di un raddoppio delle velocità rispetto allo standard 2.1, anche se allo stesso tempo abbiamo una riduzione dei consumi. Il voltaggio di esercizio, infatti, ora è di 2,5V rispetto ai precedenti standard che operano fra i 2,7V e i 3,6V.
Stando a quanto dichiarato dal JEDEC Solid State Technology Division, le memorie UFS 3.0 sono capaci di resistere agli sbalzi termici tra i -40°C e i +105°C, dunque potranno essere impiegate in altri dispositivi. Mettendo da parte le specifiche tecniche, lo standard UFS 3.0 potrebbe davvero rappresentare un’evoluzione in termini di prestazioni nel settore mobile.
Purtroppo sembra abbastanza difficile che i nuovi flagship, attesi del debutto al Mobile World Congress di Barcellona ma anche quelli nella prima parte di quest’anno, possano implementare questo standard. Molto probabilmente le UFS 3.0 verranno integrate nei telefoni top che saranno presentati nella seconda metà del 2018.
Ovviamente, Samsung potrebbe essere fra le prime società ad adottare queste nuove memorie flash. Difatti, alcune fonti sostengono che il produttore sudcoreano avrebbe già avviato la produzione in massa di memorie con standard UFS 3.0 già in questo trimestre.
Infine, dato che di smartphone della serie Galaxy Note hanno debuttato ultimamente fra agosto e settembre, il prossimo Samsung Galaxy Note 9 potrebbe essere il primo terminale della società asiatica ad integrare una memoria flash di tipo UFS 3.0.
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