Qualcomm dovrebbe tenere dal 4 all’8 dicembre 2017 il secondo appuntamento dello Snapdragon Technology Summit nelle Hawaii. Secondo un manifesto pubblicitario dell’evento, pubblicato su Weibo da una fonte attendibile del settore, il chip maker americano potrebbe annunciare in quest’occasione il prossimo processore di fascia top Snapdragon 845. Il chipset avrà il compito di guidare gli smartphone di fascia alta attesi al debutto nei primi mesi del 2018.
Dalle ultime indiscrezioni sappiamo che lo Snapdragon 845 dovrebbe essere prodotto da Samsung utilizzando un processo produttivo a 10 nm LPE. Il processore dovrebbe essere caratterizzato da una CPU octa-core a 64 bit composta da 4 core Cortex A75 ad alte prestazioni + 4 core Cortex A53 a basso consumo. Tuttavia, resta ancora possibile la presenza di una CPU con core Kryo personalizzati.
In effetti, l’attuale Snapdragon 835 è composto da 8 core Kryo 280 personalizzati dalla stessa Qualcomm. In ogni caso, a fianco della CPU a 8 core dovremmo trovare la GPU Adreno 630 e un modem LTE X20 in grado di proporre una velocità in download massima di 1.2 Gb/s, dunque al passo con il Kirin 970 di Huawei presente sui Mate 10 e Mate 10 Pro.
Per quanto riguarda i benchmark, lo Snapdragon 845 dovrebbe offrire almeno un 25% di performance in più nei test single-core rispetto all’attuale generazione di SoC. Sempre in base alle ultime indiscrezioni emerse in rete, lo Snapdragon 845 di Qualcomm dovrebbe supportare un modulo Wi-Fi 802.11 a/b/g/n/ac/ad, memorie UFS 2.1, RAM 4 × 16 bit LPDDR4X e un processore ISP 2500M dedicato.
Dato che il chipset sarà prodotto negli stabilimenti di Samsung tramite la loro tecnologia, le prime unità di produzione del nuovo SoC potrebbero essere destinate per intero al Galaxy S9 e al suo fratello maggiore S9+. Questo ovviamente dovrebbe trovarsi all’interno delle varianti dei due smartphone destinate a mercati statunitense e cinese poiché nel resto del mondo verrà impiegato un chip della serie Exynos, proprio come visto sugli attuali modelli.
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