Samsung ha avviato la produzione di massa dei suoi chip a 10 manometri (nm) con tecnologia FinFET. La compagnia ha dichiarato che questi chip saranno usati nei device futuri il prossimo anno, quindi non si può non pensare all’attesissimo Galaxy S8, che avrà sicuramente un processore del genere.
La casa sud coreana ha dovuto avere a che fare con il disastro Note 7, una crisi che deve però rimettere in riga per il futuro e la “cura”, o almeno il primo passo, potrebbe essere proprio la produzione di questi chip. Del resto nelle previsioni dei guadagni nel Q3 Samsung ha dichiarato che sono stati proprio la vendita di schermi e chip a tenerla a galla.
Galaxy S8 vs Galaxy S7: le differenze
Ma quali sono le differenze rispetto ai chip precedenti? Ad esempio l’attuale Samsung Galaxy S7 in Italia ha un Exynos 8890, basato su una tecnologia a 14 nm FinFET. Quella che vedremo su Galaxy S8, la 10 nanometri Fan-out Panel Level Package (FoPLP) avrà un circuito stampato più sottile e potente in termini di prestazioni. Come sappiamo questi componenti più diventano piccoli e più sono potenti.
Questa nuova tecnologia permetterà di avere processori più efficienti del 30%, prestazioni migliori del 27% e consumo di batteria migliorato del 40%. Insomma un bel salto in avanti. Questa sarà la prima generazione con nome in codice 10LPE. Durante la seconda metà del 2017 sarà invece introdotta la seconda generazione dei processori a 10nm, nome in codice 10LPP, che migliorerà ulteriormente le prestazioni.
Insomma Samsung Galaxy S8 sarà un mostro di potenza non solo per i suoi probabili 6GB di RAM ma anche per la tecnologia che sta dietro la produzione dei suoi processori. Ma questa volta Samsung non può sbagliare: dovrà essere uno smartphone perfetto, non si può assolutamente replicare il disastro avvenuto con Note 7.
