Samsung Electronics rimane al centro delle scene mondiali dell’elettronica consumer grazie all’introduzione di soluzioni e terminali all’avanguardia che conoscono, nel progressivo miglioramento tecnologico, il loro punto di forza centrale che si concretizza tramite la realizzazione di nuove soluzioni ingegneristiche che puntano su velocità ed affidabilità.
Dopo le recenti partnership per la garanzia delle proprietà intellettuali nei confronti dei Nokia e la forniture di nuove soluzioni ad alto contenuto tecnologico per sistemi di visualizzazione mobile in tecnologia OLED e moduli Dual-Camera per Xiaomi, torniamo nuovamente a parlare di un accorso tra le parti Samsung ed IBM che vedranno la progressiva creazione di chip di memoria RAM alternativi alle attuali NAND Flash che, seppur a tutti gli effetti validi, risultano indietro rispetto alle aspettative finali della nuova tecnologia. Scopriamola insieme.
Samsung Memory ed IBM impegnate per creare le RAM del futuro
L’apporto fornito dalle memoria RAM ad un qualsivoglia sistema elettronico è di vitale importanza per garantire un multitasking attivo e la rapida comunicazione delle componenti intelligenti del sistema con la parte software di gestione della piattaforma desktop o mobile che sia.
Samsung ed IBM, stando a quanto indicato su ComputerWorld, si stanno concentrando su quest’ultimo fronte puntando sulla creazione di nuove soluzioni denominate Spin-Torque Transfer Magnetoresistive RAM (o STT MRAM) la cui caratteristica distintiva è la velocità e l’ottimizzazione dimensionale che riduca l’ingombro fisico del componente finale. Una mossa che, unitamente alla più recenti tecnologie portable di memorie Samsung UFS-2.0, garantiranno prestazioni davvero eccezionali.
Per quanto concerne le nuove STT MRAM si parla di sistemi da dedicare anche all’ambito dei weaable proprio a causa della riduzione dimensionale dell’hardware. Tra le altre cose saranno garantiti timings di accesso ai dati delle celle nell’ordine dei 10 nanosecondi in scrittura contro 1 microsecondo delle attuali NAND Flash realizzando così un sistema davvero responsivo e reattivo.
Inoltre, dal punto di vista dell’ottimizzazione energetica si prevede idealmente un consumo in Idle pari a zero a causa della presenza di una resistenza interna che limita il passaggio di corrente in stato di riposo ed il grado di usura stesso del componente che risulta così più longevo rispetto ad una NAND Flash.
Dal punto di vista generale si potrebbe pensare ad una sostituzione totale delle attuali proposte in tecnologia DRAM per ambienti desktop-based con tutti i vantaggi del caso. Nonostante questo si è ancora indietro rispetto alle aspettative finali di un imminente distribuzione sul mercato di massa e lo prova il fatto che la prossima generazione di prodotti Samsung Galaxy Note 7 opererà ancora attraverso questa tecnologia di memorie.
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Ad ogni modo i tempi risulteranno poi in linea con le aspettative iniziali del mercato embedded. Diversa, invece, la situazione sul fronte desktop dove le implementazioni risulteranno decisamente in ritardo rispetto al settore mobile. Non resta che seguire da vicino le sorti di questa nuova era tecnologica per le memorie RAM. Maggiori informazioni possono essere reperite al presente link.
