I nuovi Samsung Galaxy S9 e Samsung Galaxy S9 Plus, in uscita non prima del prossimo mese di marzo, entreranno in produzione a partire da dicembre. La casa coreana, secondo gli ultimi rumors, avrebbe praticamente ultimato il programma di sviluppo dei suoi futuri top di gamma.
L’aspetto più interessante in merito al comparto tecnico dei nuovi Samsung Galaxy S9 e S9 Plus è, senza dubbio, rappresentato dalle specifiche che potrebbero essere escluse dalla scheda tecnica. Secondo le ultime indiscrezioni, infatti, Samsung avrebbe abbandonato l’idea di inserire il sensore di impronte digitali al di sotto del display, una soluzione su cui la casa coreana ha lavorato per molti mesi (in un primo momento il Galaxy S8 avrebbe dovuto integrare questa feature) ma che non ha mai raggiunto un livello di maturazione soddisfacente.
Samsung continuerà a lavorare su questa tecnologia che potrebbe essere riproposta con il futuro Samsung Galaxy Note 9, in arrivo sul mercato tra poco meno di un anno. Nel frattempo, i nuovi Samsung Galaxy S9 e S9 Plus dovrebbe continuare a presentare uno scanner delle impronte digitali collocato in posizione posteriore, anche se distanziato rispetto alle fotocamere, mentre all’anteriore verranno potenziati i sistemi di scansione dell’iride e di riconoscimento facciale che Samsung dovrà portare al livello del Face ID di Apple.
La scheda tecnica dei nuovi Samsung Galaxy S9 e S9 Plus continuerà a presentare l’Infinity Display da 18,5:9 con tecnologia Super AMOLED. I nuovi smartphone top di gamma di Samsung potranno contare sul SoC Qualcomm Snapdragon 845 o, in mercati come l’Europa, sul nuovo SoC Exynos, erede dell’Exynos 8895 del Galaxy S8. A completare la scheda tecnica ci saranno 6 GB di RAM ed un nuovo sistema di doppia fotocamera posteriore con caratteristiche evolute rispetto a quello del Galaxy Note 9.
Ulteriori dettagli in merito ai nuovi top di gamma di casa Samsung emergeranno, senza dubbio, nel corso dei prossimi giorni. Continuate a seguirci per tutti gli aggiornamenti sui futuri flagship coreani.
