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Galaxy S8, primi guai per Samsung: denunciata per violazione brevetto tecnologia FinFET

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Cresce l’attesa per l’uscita del Samsung Galaxy S8, chiamato a recuperare il clamoroso flop causato dall’esplosivo (in senso letterale) Note 7. Il dispositivo, come noto, è atteso per il prossimo 26 febbraio 2017. Sebbene, c’è chi ritiene che Samsung potrebbe posticiparne l’uscita per evitare la fretta fatale che ha causato il flop del Note 7. Tante le novità racchiuse nel Galaxy S8, tra cui la tecnologia 10nm finFET. Di cosa si tratta? Rispetto alla generazione precedente, 10nm finFET sfrutta transistor 3D, capace di accrescere l’efficienza di un terzo, così come in modo identico le prestazioni. Ma, al contempo, ridurre drasticamente il consumo energetico del dispositivo di quasi la meta. Vale a dire fino al 40%.

Tuttavia, il Galaxy S8 porta già i primi guai per Samsung e proprio per questa tecnologia. Infatti, la multinazionale coreana ha incassato un’accusa di violazione di brevetto. Vediamo i dettagli.

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Galaxy S8, Samsung accusata di violazione di brevetto per tecnologia 10nm finFET

A riportare la notizia è il Korea Herald, ripresa da Sammobile. A citare in giudizio per violazione di brevetto Samsung per la tecnologia 10nm finFET contenuta in Galaxy S8 è il Korea Advanced Institute of Science and Technology (conosciuto anche con l’acronimo KAIST), la cui sede è negli Stati Uniti. Nell’articolo si legge che KAIST avrebbe sviluppato per primo FinFET, ma è stata letteralmente scippata dal colosso coreano quando ha invitato proprio lo sviluppatore di FinFET per conto di KAIST, Lee Jong-ho, professore all’Università nazionale di Seul.

Samsung lo aveva invitato per una lezione su questa tecnologia rivolta agli ingegneri della multinazionale coreana. A quanto pare però, quest’ultima si è spinta oltre, depositando il brevetto e annunciando 10nm finFET nel prossimo Galaxy S8.

Leggi anche: S8 avrà fotocamera frontale con autofocus? Ultimi rumor

Violazione di brevetto per Samsung: tecnologia 10nmfinFET sarà eliminata da Galaxy S8?

Dove ha sbagliato Samsung? Per capirlo basta vedere cosa ha fatto Intel. Altro colosso dell’informatica. Intel infatti sta usando 10nm FinFET, ma ha ottenuto la licenza da parte di KAIST per farlo. Mentre Samsung non lo ha fatto per usarla nel suo prossimo Galaxy S8. Il quale, pertanto, rischia di ritrovarsi senza questa chicca tecnologica. Un brutto passo falso prima ancora di uscire.

Luca Scialò
Luca Scialòhttps://lucascialo.altervista.org/
Sociologo, blogger e articolista

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