Nel corso di queste ultime settimane siamo venuti a conoscenza di due tecnologie che accompagneranno i dispositivi del comparto mobile di prossima generazione, primo fra tutti il tanto atteso smartphone Samsung Galaxy S8 in versione USA, ovvero sia la nuova funzione di ricarica rapida Qualcomm Quick Charge 4.0 e in ultimo, ma non per ultimo, il rivoluzionario System-on-a-chip della famiglia Snapdragon 835.
Di fatto, giusto qualche settimana fa, si era discusso per sommi capi di questo nuovo microchip realizzato secondo il nuovo processo di produzione FinFET a 10nm, il quale, in diretta conseguenza di ciò, porterà ad un sostanziale miglioramento generale da accompagnarsi ad un processo di miniaturizzazione implicito che consenta di ottenere un sostanziale risparmio energetico ed un gap prestazionale notevole rispetto alla generazione precedente. Il tutto grazie all’ausilio fornito dai laboratori Samsung e delle sue tecnologie UEV.
Stiamo parlando di un discusso Qualcomm Snapdargon 835 SoC ultimamente apparso nel profilo Twitter ufficiale dell’omonima casa madre che, in questa sede, ha contribuito ad alimentare le speranze di coloro che si aspettano di vedere il prodotto nel contesto del prossimo Consumer Electronic Show di Las Vegas, in programma per le prossime giornate del 5-8 Gennaio 2017.
Presentato nel mese di Novembre 2016, il nuovo sistema miniaturizzato si realizza mediante la tecnica di produzione tipica dei 10nm e registra, di conseguenza. un risparmio energetico netto del 40% rispetto alla controparte Snapdragon 820. Il miglioramento più marcato, ad ogni modo, si ha sul fronte delle prestazioni dove, con un sostanziale +25%, si ottiene un notevole incremento sul metro di paragone dell’ultima revisione nota, ovvero sia il top di gamma Snapdragon 821 visto, ad esempio, sui top di gamma OnePlus 3T e Xiaomi Mi Note 2.
L’architettura Kryo 200 con GPU Adreno 540 e supporto al modem X16 LTE realizzato dalla stessa software house, infine, completano la dotazione di supporto integrata. In merito al supporto esterno, invece, si ha la compatibilità verso le memorie RAM in tecnologia LPDDR4X-1866 ed i chip ROM con processo tecnologico ad alta velocità UFS 2.1.
Our #Snapdragon 835 processor will come into focus at #CES2017. pic.twitter.com/fzw0DO8kBw
— Qualcomm (@Qualcomm) December 27, 2016
Le stesse caratteristiche intraviste in questi giorni in merito a numerosi terminali di prossima generazione appartenenti alle major society del settore telefonia mobile, tra cui spiccano Samsung, Huawei ed HTC, attualmente in testa alle classifiche di vendita insieme ad Apple. 
In attesa di vedere all’opera i nuovi terminali con a bordo gli ultimi ritrovati Snapdragon 835 SoC, non possiamo che dirci soddisfatti dei traguardi raggiunti. E voi, invece, che cosa ne pensate al riguardo?
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