Giusto nel corso di questi ultimi giorni si era messo in evidenza il fatto che Samsung Electronics si trovasse alle prese con la produzione di massa dei propri microchip basati su processo produttivo avanzato a 10nm, ovvero sia quella fascia di prodotti che con ogni probabilità incontreremo nel processo di upgrade delle piattaforme smartphone e tablet di prossima generazione, in relazione ai futuri Exynos e Snapdragon SoC.
Il fatto di trovarsi di fronte alla distribuzione massiva delle nuove soluzioni integrate ad intelligenza avanzata, non significa che la società stanzi sul mercato ed anzi, in questo frangente, si propone con un significativo miglioramento che introduce le nuove previste soluzioni di terza generazione per chip 10nm e quarta generazione per i 14nm. Un fatto recentemente posto all’attenzione dei partecipanti all’evento Samsung Foundry Forum, tenutosi in queste ultime ore all’interno della sede situa nella sezione Device Solutions America.
La generazione di Samsung chip 14nm è stata introdotta già in occasione del lancio dei prodotti mobile della serie Samsung Galaxy S6 nel 2015 e, da allora, la società ha previsto numerose revisioni concretizzatisi con il rilascio della quarta versione utile che consente ora di offrire al pubblico un livello prestazionale decisamente più elevato a fronte anche di un pari rapporto energetico di gestione, rendendo così i prodotti 14nm LPU i compagni ideali del settore mobile, dove le prestazioni ed il risparmio energetico giocano un ruolo decisamente fondamentale.
Ancor più interessante risulta essere il processo produttivo Samsung chip 10nm che riduce, rispetto al precedente, notevolmente le dimensione del DIE. In precedenza, di fatto, avevamo conosciuto le tecnologie LPE (Low Power Early) e LPP (Low Power Plus).
Questi due nuovi aspetti costruttivi sono di recente fattura e, pertanto, verranno resi noti al pubblico solo nel secondo trimestre dell’anno 2017, con integrazioni previste nel ramo mobile per la fine dell’anno.
Ovviamente, è ancora troppo presto per avere un’impatto reale sulla crescita prestazionale raggiunta. Ad ogni modo, l’evento ha dato modo di avere un assaggio del processo di ingegnerizzazione e miglioramento continuo dei processi adottati da Samsung Semiconductor, che per l’occasione ha anche reso noto il primo wafer di silicio con processo produttivo a 7nm EUV la cui progettazione è stata rimandata al prossimo anno 2017. Anno in cui entrerà in piena competizione con TSMC, la quale sta spingendo verso la miniaturizzazione estrema delle componenti.
Samsung Chip in tal caso ha apertamente dichiarato battaglia a TSMC sul piano dei 10nm, verso cui, da ambo le parti, si procede a ritmo piuttosto spedito. Il 2017 sarà l’anno decisivo per ottenere una risposta e prodotti decisamente più evoluti sotto il profilo della gestione dei consumi e della potenza assoluta generata.
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