A distanza di poche settimane dalla presentazione ufficiale dei nuovi Samsung Galaxy S8 e S8 Plus, che possono contare sui primi SoC a 10 nm come l’Eynos 8895 (progettato da Samsung) e il Qualcomm Snapdragon 835, nuove informazioni ci anticipano come Samsung e Qualcomm siano già a lavoro sulla seconda generazione di SoC a 10 nm che troveremo tra le specifiche del nuovo Samsung Galaxy S9 in uscita il prossimo anno.
Secondo fonti non ufficiali, Samsung e Qualcomm sono al lavoro sulla progettazione del nuovo Qualcomm Snapdragon 845, il futuro chipset top di gamma della casa americana che potrebbe essere prodotto, così come accade oggi con lo Snapdragon 835, da Samsung stessa che ha anche avuto l’esclusiva temporale sul suo utilizzo.
La seconda generazione di SoC a 10 nm dovrebbe garantire un incremento del 10% delle prestazioni e del 15% per quanto riguarda l’efficienza energetica. In sostanza, i futuri SoC che troveremo sui top di gamma del 2018, a parità di clock, saranno in grado di garantire prestazioni migliori ma soprattutto un consumo energetico nettamente inferiore che potrebbe, quindi, permettere ai costruttori di spingere maggiormente sulle frequenze di funzionamento senza andare a compromettere l’autonomia.
Chiaramente, il prossimo anno il passo in avanti generazione sarà inferiore rispetto a quanto registrato con il passaggio dai 14 ai 10 nm. Gli interventi di ottimizzazione, in ogni caso, si tradurranno miglioramenti sostanziali per i futuri smartphone, tra cui troveremo in prima fila anche il futuro Samsung Galaxy S9.
Sebbene al momento non vi siano informazioni in tal senso, possiamo già ipotizzare come Samsung stia lavorando al futuro SoC top di gamma della famiglia Exynos che verrà lanciato sul mercato in parallelo al già citato Snapdragon 845. In ogni caso, per ulteriori informazioni sulle caratteristiche tecniche dei SoC di nuova generazione sarà necessario attendere ancora qualche mese. Continuate a seguirci per tutti gli aggiornamenti.
Fonte: Sammobile
