In occasione del Flash Memory Summit di quest’anno, Samsung Electronics, leader mondiale nella creazione di periferiche di archiviazione, ha presentato un nuovo progetto per memorie flash in grado di soddisfare le sempre più grandi esigenze di memoria dei grandi computer e dei cloud in tempo reale.
Nel centro congressi di Santa Clara, California, la compagnia di Seul ha introdotto la sua memoria V-NAND di quarta generazione, una line-up dalle alte prestazioni di hard drive allo stato solido (SSD) per la sua clientela aziendale e la sua prima Z-SSD, una nuova soluzione che fornisce prestazioni rivoluzionarie per sistemi di archiviazione flash.
V-NAND
I nuovi dispositivi di memoria flash dell’azienda sudcoreana sono destinati a contribuire in modo significativo a migliorare il settore globale dei sistemi di archiviazione, soprattutto in vista delle sempre maggiori esigenze delle società informatiche. Queste soluzione consentiranno di racchiudere un’enorme quantità di dati, ed elaborare le informazioni ad elevata velocità, consentendo di ridurre i costi totali di proprietà (TCO) per i Data Center.
La nuova memoria 3D NAND di quarta generazione, capace di impilare fino a 64 strati di celle, circa il 30% in più rispetto ai 48 strati della precedente generazione, è stata annunciata lo scorso autunno, ma vedrà la luce non prima del prossimo anno. Finora Samsung ha parlato esclusivamente di una parte TLC da 512 GB, e almeno inizialmente la componete MLC sarà progettata allo stesso modo, offrendo due terzi della capacità.
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Ricordiamo che la V-NAND di seconda generazione era composta da 128 GB di TLC o 86 GB di MLC, mentre ulteriori MLC da 128 GB sono state introdotte successivamente. Inoltre, la nuova NAND supporta anche una maggiore velocità, fino a 800 Mbps, che è fondamentale per ridurre la pena di prestazione, proveniente dall’installazione di più Flash su un minor numero di chip indipendenti.
1 TB di memoria in un singolo pacchetto
Con capacità di archiviazione di 512 GB per-die, la compagnia di Seul è in grado ora di inserire 1 TB di TLC Flash in un unico pacchetto. Questo significa che i dispositivi SSD BGA offriranno capacità di 1 TB anche in spessori tra 11.5 e 13 millimetri. E’ altamente probabile che l‘SSD PM1633a SAS da 16 TB sarà eclissato dal nuovo PM1643 da 32 TB. Mentre più avanti potremmo assistere alla scomparsa del SSD PM1725 PCIe a favore dell’interfaccia host PCIe 4, PM1735.
Questa nuova memoria raggiungerà prestazioni nelle lettura sequenziale fino a 1500 MB/s e velocità di scrittura sequenziale pari a 900 MB/s. In questo modo sarà possibile ridurre fino al 50 per cento le dimensioni, portando il peso del SSD a circa 1 grammo, rendendolo ideale per le periferiche di ultima generazione.
A completare l’aggiornamento delle memorie NAND ci sarà un nuovo formato di archiviazione per i server, che dovrebbe rifarsi all’attuale M.2. Il nuovo formato dovrebbe raggiungere i 32 millimetri di larghezza e 114 millimetri di lunghezza, leggermente più grandi rispetto al M.2, con i suoi 22 millimetri di larghezza per 110 millimetri di lunghezza. Questo incremento delle dimensioni sarà sfruttato per la produzione di unità 8 TB, al fianco di unità da 4 TB, consentendo l’installazione di 256 TB di memoria Flash in un server UI.
Z-SSD
La società asiatica, con l’intento di ribaltare qualche aspetto dalla memoria 3D XPoint, ha annunciato la nuova memoria a bassa latenza e dalle alte prestazioni, la Z-SSD, un prodotto basato su Z-NAND ma con alcuni aspetti di un SSD. Z-SSD verrà commercializzato per affrontare il divario nelle prestazioni tra DRAM e SSD. Nel corso del keynote di presentazioni, Samsung ha messo a confronto l’SSD PM963 NVMe TLC contro uno basato su tecnologia PRAM.
Dalle diapositive si è evidenziato che sarà rilasciato una versione di Z-SSD da 1 TB nel corso del 2016 e una versione da 4 TB il prossimo anno, mentre il comunicato stampa, emesso successivamente, afferma in generale che Z-SSD sarà rilasciato non prima del prossimo anno. Dato che, i tempi e le capacità sono di poco inferiori a memorie NAND SSD, sembra che Z-NAND non sarà drasticamente diverso da tecnologie di archiviazione esistenti.
