Dalle ultime indiscrezioni è emerso che il design della back-cover del nuovo Samsung Galaxy S9 potrebbe cambiare molto rispetto all’attuale modello. Nelle scorse ore sono stati pubblicati su Weibo dei nuovi render realizzati in CAD che sembrerebbero confermare tale affermazione. Anche se siamo sicuri al 99% che il nuovo flagship seguirà le orme dell’attuale Galaxy Note 8 implementando una doppia fotocamera sul retro, la disposizione dei due sensori potrebbe cambiare.
In effetti, proprio questa caratteristica è stata avvolta nel mistero dato che gli attuali possessori di S8 e dello stesso phablet con S Pen non riescono ad usare agevolmente il lettore di impronte digitali visto il suo posizionamento alquanto scomodo. In particolare, alcuni render concept hanno mostrato il Samsung Galaxy S9 con sensori disposti orizzontalmente mentre altri verticalmente.
Samsung Galaxy S9: emergono su Weibo dei nuovi render CAD
In base a questi nuovi render CAD, però, pare che Samsung abbia scelto di posizionare la dual camera verticalmente così da spostare il sensore di sblocco tramite impronta sotto il modulo, quasi al centro, per renderlo facilmente accessibile dall’utente.
Oltre a queste modifiche applicate sulla back-cover, possiamo vedere chiaramente un Infinity Display posto sul davanti completo di curve laterali e cornici, superiore ed inferiore, davvero minime, proprio come l’attuale Galaxy S8.
Alla fine, sul prossimo Samsung Galaxy S9 potrebbe essere evitato il grosso problema che attualmente troviamo sull’S8, ossia l’inserimento del lettore di impronte digitali al fianco della fotocamera principale. I futuri possessori del flagship, infine, accederebbero a una delle migliori fotocamere su smartphone presenti in questo momento o addirittura implementare qualche nuova funzionalità.
Per quanto riguarda le specifiche tecniche, il Samsung Galaxy S9 potrebbe essere mosso da un nuovo processore Exynos 9810 annunciato (in parte) nelle scorse ore dalla società sudcoreana. Parliamo di un SoC che verrà prodotto attraverso un processo produttivo a 10 nm di seconda generazione e che includerà dei nuovi core personalizzati di terza generazione.
