Exynos 8895 rientra nell’universo di prodotti di prossima generazione direttamente forniti da Samsung Electronics, che punta ad un cospicuo miglioramento funzionale del componente mantenendo intatta l’architettura, ma variandone il processo produttivo portato ora alla soglia nei 10nm. Un SoC che, almeno sulla carta, garantisce frequenze di gestione pari a 4GHz. Davvero incredibile. Scopriamolo dalle pagine della testata cinese Weibo.
Samsung, stando agli ultimi rapporti emersi dalle fonti ufficiali, starebbe testando il suo primo processore integrato a 10nm. Una soluzione nuova, decisamente diversa dalle attuali proposte con processo produttivo a 14nm viste in Exynos 7420 ed 8890. Un microprocessore decisamente Hi-end, che preannuncia un deciso passo avanti rispetto alle attuali generazioni di prodotto previste per Note 5 e Note 7.
Samsung Exynos 8895 (codename: Kanchen), infatti, è molto di più. Davvero notevole sarà l’aumento prestazionale con un +30% rispetto allo stadio attuale e con una riduzione dei consumi netta e decisiva in un settore dove, sino a questo momento, non si è assistito al cambiamento tanto atteso nei termini della gestione energetica. La velocità di punta, benché dubitiamo fortemente in un’applicazione pratica della cosa a livello consumer se non a solo scopo di testing, pare si aggiri attorno alla soglia dei 4GHz per le soluzioni integrate dei core più potenti e non meno di 2.7GHz per i Cortex-A53 da utilizzarsi negli stadi meno impegnativi.
Il potenziale, comunque, è davvero notevole e decisamente lontano dai 3GHz di picco previsti per gli Exynos 8890 attuali con processo architetturale di tipo Big.Little. Ovviamente, lo ripetiamo, non ci aspettiamo di scoprire tali frequenze per i device con vendita al dettaglio, considerando le implicazioni dovute alla gestione termica (surriscaldamento).
In questi termini, è da notare l’efficienza energetica sul piano del surriscaldamento dei chip Exynos rispetto a Snapdragon di Qualcomm che, sotto questo punto di vista, stenta a farsi valere. Infatti, a 4GHz teorici, saremmo potenzialmente in grado di ottenere gli stessi valori termici di uno dei prossimi Snapdragon 830 @3.6GHz. Cosa che fa ben sperare in vista del futuro lancio dei Samsung Galaxy S8 o dei Note 8. Resteremo in attesa di maggiori informazioni. Consultate le nostre pagine per ulteriori approfondimenti.
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